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ISBN-13: 9783319882840

Type: NA

Publication Name: NA

ISBN: 9783319882840

Book Title: Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets

Item Length: 6.2in

Publisher: Springer International Publishing A&G

Publication Year: 2018

Format: Trade Paperback

Language: English

Item Height: 0.4in

Author: Maria Angela Pampillon Arce

Genre: Technology & Engineering, Science

Topic: Nanoscience, Physics / Condensed Matter, Nanotechnology & Mems, Electronics / Transistors

Item Width: 9.2in

Item Weight: 103.5 Oz

Number of Pages: Xxiii, 164 Pages

Informazioni su questo prodotto

Product Information

This thesis describes the fabrication of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures using very high permittivity dielectrics (based on rare earths) grown by high-pressure sputtering from metallic targets. It demonstrates the possibility of depositing high permittivity materials (GdScO3) by means of high pressure sputtering from metallic targets using in situ plasma oxidation on Si and indium phosphate (InP) substrates. The advantage of this system is the high working pressure, which causes the particles to undergo multiple collisions and become thermalized before reaching the substrate in a pure diffusion process, thus protecting the semiconductor surface from damage. This work presents a unique fabrication using metallic targets and involving a two-step deposition process: a thin metallic film is sputtered in an Ar atmosphere and this film is then plasma oxidized in situ. It also demonstrates the fabrication of GdScO3 on Si with a permittivity value above 30 from metallicGd and Sc targets. Since co-sputtering was not possible, a nanolaminate of these materials was deposited and annealed. The electrical properties of these devices show that the material is highly interesting from a microelectronic integration standpoint.

Product Identifiers

Publisher

Springer International Publishing A&G

ISBN-10

3319882848

ISBN-13

9783319882840

eBay Product ID (ePID)

6038921437

Product Key Features

Book Title

Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets

Author

Maria Angela Pampillon Arce

Format

Trade Paperback

Language

English

Topic

Nanoscience, Physics / Condensed Matter, Nanotechnology & Mems, Electronics / Transistors

Publication Year

2018

Genre

Technology & Engineering, Science

Number of Pages

Xxiii, 164 Pages

Dimensions

Item Length

6.2in

Item Height

0.4in

Item Width

9.2in

Item Weight

103.5 Oz

Additional Product Features

Number of Volumes

1 Vol.

Lc Classification Number

Qc173.458.S87

Table of Content

Introduction.- Fabrication Techniques.- Characterization Techniques.- Thermal Oxidation of Gd2o3.- Plasma Oxidation of Gd2o3 and Sc2o3.- Gadolinium Scandate.- Interface Scavenging.- Gd2o3 on Inp Substrates.- Conclusions and Future Work.

2017

Intended Audience

Trade

Series

Springer Theses Ser.

Illustrated

Yes

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