Memoria IC DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS pagina/test Hitachi HM511000S DIP18-

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IC Memory DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS Page/Test Hitachi HM511000S DIP18
SLAWMIR Electronics
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Ultimo aggiornamento: 14 ago 2025 04:26:19 CESTVedi tutte le revisioniVedi tutte le revisioni

Specifiche dell'oggetto

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Nuovo: altro (vedi dettagli): Si tratta di un oggetto nuovo in condizioni eccellenti, privo di segni ...
MPN
HM511000P-10S HITA 8747 DIP18
Body Material
Plastic
Brand
Hitachi
Number of Pins
18
Type
DRAM
Interface Type
Voltage Logic Interface
Maximum Operating Temperature
70 °C (158 °F)
Memory Size
1 Mbit
Minimum Operating Temperature
0 °C (32 °F)
Mounting Style
PCB Mount
Series
511000S
Minimum Operating Voltage
4.5 V
Country/Region of Manufacture
Japan
Maximum Input Current
60 mA
Maximum Operating Voltage
5.5 V
EAN
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    There was a minor issue with the mail service on the first order, but thanks to the seller's prompt and competent action, it was resolved positively. On the second order, they changed the delivery service, and this time the package arrived with the product that perfectly matched the description and at an unbeatable price. Highly recommended seller.
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