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Memoria IC DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS pagina/test Hitachi HM511000S DIP18-

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IC Memory DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS Page/Test Hitachi HM511000S DIP18
SLAWMIR Electronics
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Ultimo aggiornamento: 06 giu 2025 19:05:42 CESTVedi tutte le revisioniVedi tutte le revisioni

Specifiche dell'oggetto

Condizione
Nuovo: altro (vedi dettagli): Oggetto nuovo in condizioni eccellenti, privo di segni di usura. ...
MPN
HM511000P-10S HITA 8747 DIP18
Body Material
Plastic
Brand
Hitachi
Number of Pins
18
Type
DRAM
Interface Type
Voltage Logic Interface
Maximum Operating Temperature
70 °C (158 °F)
Memory Size
1 Mbit
Minimum Operating Temperature
0 °C (32 °F)
Mounting Style
PCB Mount
Series
511000S
Minimum Operating Voltage
4.5 V
Country/Region of Manufacture
Japan
Maximum Input Current
60 mA
Maximum Operating Voltage
5.5 V
EAN
Does not apply

Descrizione dell'oggetto fatta dal venditore

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SLAWMIR Electronics

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